Peak ANALIZATOR CZĘŚCI SKŁADOWYCH I PÓŁPRZEWODNIKÓW

ANALIZATOR CZĘŚCI SKŁADOWYCH I PÓŁPRZEWODNIKÓW

automatyczna identyfikacja typu elementu • automatyczna identyfikacja wyprowadzeń • specjalne funkcje identyfikujące, takie jak diody zabezpieczające i boczniki rezystorów • tranzystory bipolarne: pomiary prądu wzmocnienia i upływu, wykrywanie krzemu i germanu • pomiar progu bramki dla tranzystorów MOSFET • pomiar napięcia przewodzenia półprzewodników dla diod, diod LED i tranzystorowe złącza baza-emiter • automatyczne i ręczne wyłączanie Podsumowanie specyfikacji w 20 ° C (68 ° F), chyba że określono inaczej • szczytowy prąd testowy do zwarcia: -5,5 mA do 5,5 mA • szczytowe napięcie testowe w obwodzie otwartym: - 5,1 V do 5,1 V • tranzystor: •• zakres wzmocnienia (Hfe): 4 - 65 000 •• dokładność wzmocnienia: ± 3% ± 5 Hfe •• Napięcie testowe Vceo: 2,0 V - 3,0 V •• Dokładność Vbe: -2% -20 mV do + 2% + 20 mV •• VBE dla Darlington (bocznikowane): 0,95 V - 1,80 V (0,75 V - 1,80 V) •• Próg bocznikowy emitera bazy: 50 k i Omega, - 70 k i Omega, •• Kolektor BJT prąd testowy: 2,45 mA - 2,55 mA •• BJT dopuszczalny upływ: 0,7 mA •• MOSFET: ••• ga zakres progowy: 0,1 V - 5,0 V ••• dokładność progowa: -2% -20 mV do + 2% +20 mV ••• prąd testowy drenażu: 2,45 mA - 255 mA ••• rezystancja bramki: 8 k i Omega, • • prąd testowy drenażu wyczerpania: 4,5 mA •• prąd testowy drenażu JFET: 0,5 mA - 5,5 mA • SCR / Triak: •• prąd testowy bramki: 4,5 mA •• prąd testowy obciążenia: 5,0 mA • dioda: •• prąd testowy : 5,0 mA •• dokładność napięcia: -2% -20 mV do + 2% +20 mV •• Vf do identyfikacji diod LED: 1,50 V - 4,00 V •• Próg zwarcia: 10 i Omega, • akumulator: •• typ: MN21 / L1028 / GP23A 12 V alkaliczny •• zakres napięcia: 7,50 V - 12 V •• próg ostrzegawczy: 8,25 V • wymiary: 103 x 70 x 20 mm (4,1 "x 2,8" x 0,8 ") • Waga na produkt (netto) : 0,098 kg (3,5 uncji) • Zakres temperatur pracy: 0 ° C ~ 50 ° C (32F ~ 122F)